Directrices de ocupación del auxiliar en línea – HP Servidor HP ProLiant ML330 G6 Manual del usuario

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Orden de ocupación de réplica de memoria de procesador individual

Para las configuraciones del modo de réplica de memoria con un procesador individual, ocupe las
ranuras DIMM en el siguiente orden:

RDIMM

Primero: A y B

A continuación: D y E

Por último: G y H

No ocupe las ranuras C, F o I.

UDIMM

Primero: A y B

Por último: D y E

No ocupe las ranuras C, F, G, H, o I.

Tras instalar los módulos de memoria DIMM, utilice la RBSU para configurar el sistema para el soporte
de réplica de memoria (

Configuración de la réplica de memoria en la página 93

).

Orden de ocupación de réplica de memoria de multiprocesador

Para las configuraciones del modo de réplica de memoria con multiprocesador, ocupe las ranuras DIMM
de cada procesador en el siguiente orden:

RDIMM

Primero: A y B

A continuación: D y E

Por último: G y H

No ocupe las ranuras C, F o I.

UDIMM

Primero: A y B

Por último: D y E

No ocupe las ranuras C, F, G, H, o I.

Tras instalar los módulos de memoria DIMM, utilice la RBSU para configurar el sistema para el soporte
de réplica de memoria (

Configuración de la réplica de memoria en la página 93

).

Directrices de ocupación del auxiliar en línea

Para las configuraciones del modo auxiliar en línea, tenga en cuenta las siguientes directrices:

Tenga en cuenta las directrices generales de ocupación de la ranura DIMM (

Directrices generales

de ocupación de la ranura DIMM en la página 44

).

La configuración del módulo DIMM en todos los canales de un procesador debe ser idéntica.

Cada procesador debe tener una configuración del auxiliar en línea válida.

Es posible que, en las configuraciones multiprocesador, cada procesador disponga de una
configuración del auxiliar en línea distinta y válida.

ESES

Opciones de memoria

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