HP Servidor HP ProLiant ML330 G6 - Manual (Página 52)

Los datos se escriben en ambos canales de memoria. Los datos se leen desde uno de los dos canales
de memoria. Si se detecta un error que no es posible corregir en el canal de memoria activo, los datos
se recuperan desde el canal de réplica. Este canal se convierte en el nuevo canal activo, y el sistema
desactiva el canal que presenta el DIMM que ha fallado.
Configuración de la memoria auxiliar en línea
La memoria auxiliar en línea proporciona protección contra los módulos DIMM deteriorados al reducir
la probabilidad de que se produzcan errores de memoria no corregidos. Esta protección está disponible
sin requerir compatibilidad con ningún sistema operativo.
La protección de la memoria auxiliar en línea utiliza un rango de cada canal de memoria como memoria
auxiliar. Los rangos restantes están disponibles para el SO y el uso de aplicaciones. Si se producen
errores de memoria que se pueden corregir a una tasa superior que la del umbral especificado de
cualquiera de los rangos no auxiliares, el servidor copia automáticamente el contenido de la memoria
del rango deteriorado en el rango auxiliar en línea. A continuación, el servidor desactiva el rango que
falla y cambia automáticamente al rango auxiliar en línea.
Configuración de memoria de sincronía
El modo de sincronía proporciona protección frente a los errores de memoria de múltiples bits que tienen
lugar en el mismo dispositivo DRAM. Este modo puede corregir cualquier error en el dispositivo DRAM
único en tipos de DIMM x4 y x8. El número de referencia de HP de las memorias DIMM de cada canal
debe coincidir.
El modo Lockstep (Sincronía) utiliza los canales 1 y 2. El canal 3 no se ocupa. Puesto que no es posible
ocupara el canal 3 mientras se utiliza el modo Lockstep (Sincronía), la capacidad máxima de memoria
es inferior que en el modo ECC Avanzado. El rendimiento de la memoria en modo ECC Avanzado es
ligeramente superior.
Directrices generales de ocupación de la ranura DIMM
Tenga en cuenta las siguientes directrices para todos los modos AMP:
● Ocupe las ranuras DIMM para un procesador únicamente si el procesador está instalado.
● Para maximizar el rendimiento de las configuraciones de multiprocesador, distribuya la capacidad
total de memoria entre todos los procesadores del modo más uniforme posible.
● No combine las memorias PC3 DIMM sin búfer y registradas.
● Cada canal admite un máximo de dos memorias DIMM sin búfer.
● Si las memorias DIMM de cuatro rangos están instaladas para un procesador, es posible instalar
dos memorias DIMM como máximo en cada canal para dicho procesador.
● Si un canal contiene memorias DIMM de cuatro rangos, el DIMM de cuatro rangos debe instalarse
primero en el canal.
En la siguiente tabla, se enumeran las velocidades de DIMM compatibles.
Ranuras ocupadas (por canal) Rango Velocidad admitida (MHz)
1 Rango único o rango doble 1333, 1066
1 Cuatro rangos 1066
2 Rango único o rango doble 1066
3 Rango único o rango doble 800
44 Capítulo 4 Instalación de componentes opcionales de hardware ESES