Directrices de ocupación de la réplica de memoria – HP Servidor HP ProLiant ML330 G6 Manual del usuario

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Por último: G y H

No ocupe las ranuras C, F o I.

UDIMM

Primero: A y B

Por último: D y E

No ocupe las ranuras C, F, G, H, o I.

Tras instalar los módulos de memoria DIMM, utilice la RBSU para configurar el sistema para el soporte
de memoria de sincronía (

Configuración de la memoria de sincronía en la página 93

).

Orden de ocupación de memoria de sincronía de multiprocesador

Para las configuraciones del modo de memoria de sincronía con multiprocesador, ocupe las ranuras
DIMM de cada procesador en el siguiente orden:

RDIMM

Primero: A y B

A continuación: D y E

Por último: G y H

No ocupe las ranuras C, F o I.

UDIMM

Primero: A y B

Por último: D y E

No ocupe las ranuras C, F, G, H, o I.

Tras instalar los módulos de memoria DIMM, utilice la RBSU para configurar el sistema para el soporte
de memoria de sincronía (

Configuración de la memoria de sincronía en la página 93

).

Directrices de ocupación de la réplica de memoria

Para las configuraciones del modo de réplica de memoria, tenga en cuenta las siguientes directrices:

Tenga en cuenta las directrices generales de ocupación de la ranura DIMM (

Directrices generales

de ocupación de la ranura DIMM en la página 44

).

Instale siempre las memorias DIMM en los canales 1 y 2 para cada procesador instalado.

No instale las memorias DIMM en el canal 3 para ningún procesador.

Las memorias DIMM instaladas en los canales 1 y 2 de un procesador instalado deben ser
idénticas.

En las configuraciones multiprocesador, cada procesador debe disponer de una configuración de
réplica de memoria válida.

En las configuraciones multiprocesador, cada procesador debe disponer de una configuración de
réplica de memoria válida distinta.

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Capítulo 4 Instalación de componentes opcionales de hardware

ESES

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