HP Servidor HP ProLiant DL380 G6 - Manual (Página 51)

Configuración de memoria ECC Avanzado
ECC avanzado es el modo predeterminado de protección de memoria para este servidor. La memoria
ECC estándar puede corregir los errores de memoria de bit único y detectar los errores de memoria de
múltiples bits. Cuando se detectan errores de múltiples bits a través de ECC estándar, el error se indica
en el servidor y hace que éste se detenga.
ECC avanzada protege al servidor contra algunos errores de memoria de múltiples bits. ECC Avanzado
puede corregir tanto los errores de memoria de un único bit como los errores de memoria de 4 bits si
todos los bits que presentan errores se encuentran en el mismo dispositivo DRAM del DIMM.
ECC avanzado proporciona más protección que ECC estándar, ya que permite corregir determinado
errores de memoria que, de otro modo, no se corregirían y provocarían fallos en el servidor. El servidor
envía notificaciones cuando los eventos de error corregibles han superado el umbral predefinido.
Configuración de réplica de memoria
La creación de réplicas ofrece protección contra los errores de memoria no corregidos y que, de otra
manera, provocarían un periodo de inactividad en el servidor. La creación de réplicas se lleva a cabo
en el nivel de canal. Se utilizan los canales 1 y 2; el canal 3 no se ocupa.
Los datos se escriben en ambos canales de memoria. Los datos se leen desde uno de los dos canales
de memoria. Si se detecta un error que no es posible corregir en el canal de memoria activo, los datos
se recuperan desde el canal de réplica. Este canal se convierte en el nuevo canal activo, y el sistema
desactiva el canal que presenta el DIMM que ha fallado.
Configuración de memoria de sincronía
El modo de sincronía proporciona protección frente a los errores de memoria de múltiples bits que tienen
lugar en el mismo dispositivo DRAM. Este modo puede corregir cualquier error en el dispositivo DRAM
único en tipos de DIMM x4 y x8. El número de referencia de HP de las memorias DIMM de cada canal
debe coincidir.
El modo Lockstep (Sincronía) utiliza los canales 1 y 2. El canal 3 no se ocupa. Puesto que no es posible
ocupara el canal 3 mientras se utiliza el modo Lockstep (Sincronía), la capacidad máxima de memoria
es inferior que en el modo ECC Avanzado. El rendimiento de la memoria en modo ECC Avanzado es
ligeramente superior.
Directrices generales de ocupación de la ranura DIMM
Tenga en cuenta las siguientes directrices para todos los modos AMP:
● Ocupe las ranuras DIMM para un procesador únicamente si el procesador está instalado.
● Para maximizar el rendimiento de las configuraciones de multiprocesador, distribuya la capacidad
total de memoria entre todos los procesadores del modo más uniforme posible.
● No combine las memorias PC3 DIMM sin búfer y registradas.
● Cada canal admite un máximo de dos memorias DIMM sin búfer.
● Si las memorias DIMM de cuatro rangos están instaladas para un procesador, es posible instalar
dos memorias DIMM como máximo en cada canal para dicho procesador.
● Si un canal contiene memorias DIMM de cuatro rangos, el DIMM de cuatro rangos debe instalarse
primero en el canal.
En la siguiente tabla, se enumeran las velocidades de DIMM compatibles.
44 Capítulo 4 Instalación de componentes opcionales de hardware ESES