HP Servidor HP ProLiant DL580 G7 - Manual (Página 53)

● El mayor rendimiento se obtiene cuando todos los procesadores instalados están activados
para el modo Hemisphere. El modo Hemisphere es óptimo cuando se instalan de cuatro a ocho
DIMM por cartucho. El modo Hemisphere se puede obtener con dos a seis DIMM por cartucho
(2 cartuchos por procesador), pero esta configuración no es la configuración óptima para el
modo Hemisphere.
● El rendimiento máximo se obtiene cuando todos los cartuchos de memoria están
completamente ocupados por el número máximo de ocho DIMM de cuatro rangos por cartucho.
Planifique las configuraciones de memoria con DIMM idénticos para obtener el tamaño de memoria
deseado, teniendo en cuenta que las configuraciones con un total de 32 y 64 módulos DIMM
obtienen el mayor rendimiento. Con una configuración de cuatro procesadores como ejemplo,
proceda como sigue:
● Si el destino de memoria inicial es de 64 GB, ocupe un sistema de cuatro procesadores con
ocho cartuchos de cuatro DIMM de 2 GB cada uno con un total de 32 DIMM. El destino de
expansión máximo es de 128 GB con 64 x DIMM de 2 GB
● Para DIMM de 4 GB, el destino de memoria inicial es de 128 GB con 32 DIMM. El destino de
expansión máximo es de 256 GB con 64 DIMM.
● Para DIMM de 8 GB, el destino de memoria inicial es de 256 GB con 32 DIMM. El destino de
expansión máximo es de 512 GB con 64 DIMM.
● La capacidad máxima de memoria del sistema se obtiene con un objetivo inicial de memoria de
512 GB con 32 DIMM de 16 GB, 1 TB con 64 DIMM de 16 GB y 2 TB con 64 DIMM de 32 GB.
Los DIMM de 32 GB sólo son compatibles en servidores que se han enviado con cartuchos de
memoria (E7) que utilizan procesadores (E7).
RAS de memoria
El servidor admite los siguientes modos AMP:
● El modo de memoria ECC Avanzado ofrece la mayor capacidad de memoria para un tamaño
DIMM concreto y ofrece SDDC x4 y x8. Este modo es la opción predeterminada para el
servidor. Para obtener más información, consulte "Directrices de ocupación de memoria ECC
Avanzado (
Directrices de ocupación de memoria ECC Avanzado en la página 47 )."
● DDDC amplía la función para soportar fallos en dos dispositivos DRAM x4. Los sistemas
compatibles con DDDC pueden corregir errores de hardware de memoria en dispositivos DRAM
sencillos y dobles. Esta característica amplía considerablemente el tiempo de funcionamiento
del sistema.
● La memoria auxiliar en línea ofrece protección contra fallos persistentes de la DRAM. Dejar
rangos de repuesto es más eficiente que dejar DIMM de repuesto, ya que se reserva sólo una
parte de un DIMM como protección de la memoria. Para obtener más información, consulte
"Directrices de ocupación de memoria auxiliar en línea (
Directrices de ocupación de memoria
auxiliar en línea en la página 47 )."
● El modo réplica de memoria ofrece una protección superior frente a fallos de las memorias
DIMM. Los errores que no pueden ser corregidos en los DIMM de un cartucho de memoria se
corrigen en los DIMM del cartucho de réplica. Los dos controladores de memoria de cada
procesador forman un par de réplica que utiliza dos cartuchos de memoria. Para obtener más
información, consulte "Directrices de ocupación de la réplica de memoria (
Directrices de
ocupación de la réplica de memoria en la página 48 )."
Los modos AMP se configuran en la RBSU. Si el modo de AMP solicitado no es compatible con la
configuración DIMM instalada, el servidor arrancará en el modo ECC avanzada. Para obtener más
46 Capítulo 4 Instalación de componentes opcionales de hardware ESES