Configuración de la memoria auxiliar en línea, Configuración de memoria de sincronía, Directrices de ocupación de memoria ecc avanzada – HP Servidor HP ProLiant ML350e Gen8 v2 Manual del usuario
Página 56: Ocupación de la memoria auxiliar en línea
ECC avanzado proporciona más protección que ECC estándar, ya que permite corregir
determinado errores de memoria que, de otro modo, no se corregirían y provocarían fallos en el
servidor. Utilizando tecnología avanzada de detección de errores en memoria, el servidor
proporciona una notificación cuando el DIMM se está degradando y la probabilidad de que tenga
errores de memoria incorregibles es mayor.
Configuración de la memoria auxiliar en línea
La memoria auxiliar en línea proporciona protección contra los módulos DIMM deteriorados al reducir
la probabilidad de que se produzcan errores de memoria no corregidos. Esta protección está
disponible independientemente del sistema operativo.
La protección de la memoria auxiliar en línea utiliza un rango de cada canal de memoria como
memoria auxiliar. Los rangos restantes están disponibles para el SO y el uso de las aplicaciones.
Si se producen errores de memoria que se pueden corregir a una tasa superior que la del umbral
especificado de cualquiera de los rangos no auxiliares, el servidor copia automáticamente el
contenido de la memoria del rango deteriorado en el rango auxiliar en línea. A continuación, el
servidor desactiva el rango que falla y cambia automáticamente al rango auxiliar en línea.
Configuración de memoria de sincronía
El modo de sincronía proporciona protección frente a los errores de memoria de múltiples bits que
tienen lugar en el mismo dispositivo DRAM. Este modo puede corregir cualquier error en un solo
dispositivo DRAM en tipos de DIMM x4 y x8. El número de referencia de HP de los módulos DIMM
de cada canal debe coincidir.
Directrices de ocupación de memoria ECC avanzada
Para las configuraciones del modo ECC avanzado, tenga en cuenta las siguientes directrices:
●
Tenga en cuenta las directrices generales de ocupación de la ranura DIMM.
●
Es posible instalar los módulos DIMM de forma individual.
Ocupación de la memoria auxiliar en línea
Para las configuraciones del modo de memoria auxiliar en línea, tenga en cuenta las siguientes
directrices:
●
Tenga en cuenta las directrices generales de ocupación de la ranura DIMM.
●
Cada canal debe tener una configuración auxiliar en línea válida.
●
Cada canal puede tener una configuración auxiliar en línea válida distinta.
●
Cada canal ocupado debe tener un rango auxiliar:
◦
Un único módulo DIMM de rango doble no es una configuración válida.
◦
Los módulos LRDIMM se consideran como módulos DIMM de rango doble.
Directrices de ocupación de la memoria de sincronía
Para las configuraciones del modo de memoria de sincronía, tenga en cuenta las siguientes
directrices:
●
Tenga en cuenta las directrices generales de ocupación de la ranura DIMM.
●
La configuración de módulos DIMM en todos los canales de un procesador debe ser idéntica.
ESES
Directrices generales de ocupación de ranuras de DIMM
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