Directrices de ocupación para el modo ecc avanzado, Ocupación auxiliar en línea – HP Blade de servidor de tarjeta gráfica HP ProLiant WS460c Gen8 Manual del usuario
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Para obtener información sobre las normas y directrices referentes a la configuración de memoria,
consulte la herramienta de configuración de memoria en línea DDR3 en la página web de HP
En la siguiente tabla, se enumeran las velocidades de DIMM compatibles.
Ranuras ocupadas (por canal)
Rango
Velocidad compatible (MT/s)
1, 2
Único o doble
1600, 1333
1, 2
Cuádruple
1333
Directrices de ocupación para el modo ECC avanzado
Para las configuraciones del modo ECC avanzado, tenga en cuenta las siguientes directrices:
●
Tenga en cuenta las directrices generales de ocupación de la ranura DIMM (
generales de ocupación de ranuras DIMM en la página 40
).
●
Es posible instalar las memorias DIMM de forma individual.
Ocupación auxiliar en línea
Para las configuraciones del modo de memoria auxiliar en línea, tenga en cuenta las siguientes
directrices:
●
Tenga en cuenta las directrices generales de ocupación de la ranura DIMM (
generales de ocupación de ranuras DIMM en la página 40
).
●
Cada canal debe tener una configuración auxiliar en línea válida.
●
Cada canal debe tener una configuración auxiliar en línea válida distinta.
●
Cada canal ocupado debe tener un rango auxiliar:
◦
Un módulo DIMM de rango doble no es una configuración válida.
◦
La memoria LRDIMM se trata como memoria DIMM de rango doble.
Directrices de ocupación de la memoria de sincronía
Para las configuraciones del modo de memoria de sincronía, tenga en cuenta las siguientes
directrices:
●
Tenga en cuenta las directrices generales de ocupación de la ranura DIMM (
generales de ocupación de ranuras DIMM en la página 40
).
●
La configuración del módulo DIMM en todos los canales de un procesador debe ser idéntica.
●
En las configuraciones multiprocesador, cada procesador debe disponer de una configuración
de memoria de sincronía válida.
●
En las configuraciones multiprocesador, cada procesador debe disponer de una configuración
de memoria de sincronía válida distinta.
ESES
Opciones de memoria
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