HP Blade de servidor de tarjeta gráfica HP ProLiant WS460c Gen8 - Manual (Página 43)

de módulos DIMM DDR3 son de bajo voltaje porque HP SmartMemory proporciona el mismo
rendimiento que las memorias de 1,5 V. Esto equivale hasta un 20% menos de energía en el nivel de
DIMM sin penalización de rendimiento. La industria admite UDIMM con 2 memorias DIMM por canal
a 1066 MT/s. HP SmartMemory admite 2 memorias DIMM por canal a 1333 MT/s, o bien un ancho
de banda un 25% mayor.
Arquitectura del subsistema de memoria
El subsistema de memoria de este blade de estación de trabajo se divide en canales. Cada
procesador admite cuatro canales, y cada canal admite dos ranuras DIMM, tal y como se muestra en
la siguiente tabla.
Canal Ranura Número de ranura
1 A
E
1
2
2 B
F
3
4
3 C
G
8
7
4 D
H
6
5
Para la ubicación de los números de ranura, consulte "Ubicación de las ranuras de DIMM ( Ubicación
de las ranuras DIMM en la página 8 )."
Esta arquitectura de varios canales permite lograr un mejor rendimiento en el modo ECC Avanzado.
Esta arquitectura también activa el modo de memoria de sincronía.
Las ranuras DIMM de este servidor se identifican por un número y letra. Las letras identifican el
orden de ocupación. Los números de las ranuras indican el Id. de la ranura DIMM de reserva para la
sustitución de piezas de repuesto.
DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos
Para comprender y configurar los modos de protección de memoria correctamente, resulta útil tener
conocimientos sobre los DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos. Algunos requisitos de
configuración de memorias DIMM se basan en estas clasificaciones.
Un DIMM de rango único posee un conjunto de chips de memoria al que se accede mientras se
escribe o lee en la memoria. Una memoria DIMM de rango doble equivale a dos memorias DIMM de
rango único en el mismo módulo; únicamente es posible acceder a un rango en cada momento.
Efectivamente, una memoria DIMM de cuatro rangos equivale a dos memorias DIMM de doble rango
en el mismo módulo. Sólo es posible acceder a un rango cada vez. El subsistema de control de la
memoria del blade de estación de trabajo selecciona el rango adecuado de DIMM cuando escribe en
un DIMM o lee desde éste.
Las memorias DIMM de rango doble y cuatro rangos proporcionan la mayor capacidad con la
tecnología de memoria existente. Por ejemplo, si la tecnología DRAM actual admite memorias DIMM
de rango único de 8 GB, una memoria DIMM de doble rango tendría 16 GB, y una memoria DIMM de
cuatro rangos, 32 GB.
ESES Opciones de memoria 37