Configuración de la memoria auxiliar en línea, Configuración de memoria de sincronía – HP Blade de servidor HP ProLiant BL460c Gen8 Manual del usuario

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de memoria de múltiples bits. Cuando se detectan errores de múltiples bits a través de ECC
estándar, el error se indica en el blade de servidor y hace que éste se detenga.

ECC avanzada protege el blade de servidor de algunos errores de memoria de múltiples bits. ECC
Avanzado puede corregir tanto los errores de memoria de un único bit como los errores de memoria
de 4 bits si todos los bits que presentan errores se encuentran en el mismo dispositivo DRAM
del DIMM.

ECC avanzada proporciona más protección que ECC estándar, ya que es posible corregir algunos
errores de memoria que, de otro modo, serían incorregibles y provocarían fallos en el blade de
servidor. Con el uso de la tecnología de detección de errores de memoria avanzada de HP, el blade
de servidor proporciona una notificación cuando el módulo DIMM se deteriora y presenta una mayor
probabilidad de errores de memoria incorregibles.

Configuración de la memoria auxiliar en línea

La memoria auxiliar en línea proporciona protección contra los módulos DIMM deteriorados al reducir
la probabilidad de que se produzcan errores de memoria no corregidos. Esta protección está
disponible sin requerir compatibilidad con ningún sistema operativo.

La protección de la memoria auxiliar en línea utiliza un rango de cada canal de memoria como
memoria auxiliar. Los rangos restantes están disponibles para el SO y el uso de aplicaciones. Si se
producen errores de memoria que se pueden corregir a una tasa superior que la del umbral
especificado de cualquiera de los rangos no auxiliares, el blade de servidor copia automáticamente el
contenido de la memoria del rango deteriorado en el rango auxiliar en línea. A continuación, el blade
de servidor desactiva el rango que falla y cambia automáticamente al rango auxiliar en línea.

Configuración de memoria de sincronía

El modo de sincronía proporciona protección frente a los errores de memoria de múltiples bits que
tienen lugar en el mismo dispositivo DRAM. Este modo puede corregir cualquier error en el
dispositivo DRAM único en tipos de DIMM x4 y x8. El número de referencia de HP de las memorias
DIMM de cada canal debe coincidir.

Directrices generales de ocupación de ranuras de DIMM

Tenga en cuenta las siguientes directrices para todos los modos AMP:

Instale solo los módulos DIMM si se instala el procesador correspondiente.

Cuando se hayan instalado dos procesadores, equilibre los módulos DIMM entre los dos
procesadores.

Las ranuras blancas de DIMM indican la primera ranura de un canal (C 1-A, C 2-B, C 3-C, C 4-
D).

No combine RDIMM, UDIMM o LRDIMM.

Cuando se instala un procesador, se deben instalar los DIMM en orden secuencial alfabético: A,
B, C, D, E, F, etcétera.

Cuando se instalan dos procesadores, se deben instalar los DIMM en orden secuencial
alfabético equilibrados entre los dos procesadores: P1-A, P2-A, P1-B, P2-B, P1-C, P2-C,
etcétera.

Para la sustitución de memoria auxiliar DIMM, instale los DIMM por número de ranura siguiendo
las instrucciones del software del sistema.

ESES

Opciones de memoria

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