Orden de ocupación, Dimm de rango único, rango doble y cuatro rangos, Identificación de dimm – HP Servidor HP ProLiant DL385p Gen8 Manual del usuario

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Orden de ocupación

Para las configuraciones de memoria con un solo procesador o varios procesadores, rellene las
ranuras DIMM en el siguiente orden:

LRDIMM: Secuencialmente en orden alfabético (de la A a la L).

RDIMM: Secuencialmente en orden alfabético (de la A a la L).

Tras instalar los módulos de memoria DIMM, utilice la RBSU para configurar el modo ECC avanzado
o el soporte de memoria auxiliar en línea.

DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos

Para comprender y configurar los modos de protección de memoria correctamente, resulta útil tener
conocimientos sobre los DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos. Algunos requisitos de
configuración de memorias DIMM se basan en estas clasificaciones.

Un DIMM de rango único posee un conjunto de chips de memoria al que se accede mientras se
escribe o lee en la memoria. Una memoria DIMM de rango doble equivale a dos memorias DIMM de
rango único en el mismo módulo; únicamente es posible acceder a un rango en cada momento.
Efectivamente, una memoria DIMM de cuatro rangos equivale a dos memorias DIMM de doble rango
en el mismo módulo. Sólo es posible acceder a un rango cada vez. El subsistema de control de la
memoria del servidor selecciona el rango adecuado del módulo DIMM cuando escribe en un DIMM
o lee desde éste.

Las memorias DIMM de rango doble y cuatro rangos proporcionan la mayor capacidad con la
tecnología de memoria existente. Por ejemplo, si la tecnología DRAM actual admite memorias DIMM
de rango único de 8 GB, una memoria DIMM de doble rango tendría 16 GB, y una memoria DIMM de
cuatro rangos, 32 GB.

Las memorias LRDIMM se etiquetan como memorias DIMM de cuatro rangos; sin embargo,
funcionan más como las memorias DIMM de rango doble. Hay cuatro rangos de memoria DRAM en
el DIMM, pero el búfer de LRDIMM crea una abstracción que permite que el módulo DIMM parezca
un módulo DIMM de rango doble para el sistema. El búfer de LRDIMM también aísla la carga
eléctrica de la memoria DRAM del sistema para permitir un funcionamiento más rápido. Estos dos
cambios permiten que el sistema admita hasta tres memorias LRDIMM por canal de memoria,
proporcionando una capacidad de memoria de hasta un 50% más y mayor velocidad de
funcionamiento de la memoria en comparación con las memorias RDIMM de cuatro rangos.

Identificación de DIMM

Para determinar las características del módulo DIMM, utilice la etiqueta adjunta al DIMM, y la
siguiente ilustración y tabla.

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Capítulo 4 Instalación de opciones de hardware

ESES

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