Memorias dimm de rango único y rango doble, Arquitectura del subsistema de memoria – HP Servidor HP ProLiant ML310e Gen8 Manual del usuario
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Elemento
Descripción
Definición
2
Rango
1R = Rango único
2R = Rango doble
3R = Tres rangos
4R = Cuatro rangos
3
Ancho de datos
x4 = 4-bits
x8 = 8-bits
4
Tensión de funcionamiento
L = bajo voltaje (1,35V)
U = voltaje ultrabajo (1,25V)
Omitido o en blanco = estándar
5
Velocidad de memoria
12800 = 1600-MT/s
10600 = 1333-MT/s
8500 = 1066-MT/s
6
Tipo de DIMM
R = RDIMM (registrada)
E = UDIMM (sin búfer con ECC)
L = LRDIMM (de carga reducida)
Para obtener la información más reciente acerca de las memorias compatibles, consulte la sección
QuickSpecs (resumen de especificaciones) en la página web de HP (
) En la página web, elija la zona geográfica y localice el
producto por categoría de producto o nombre.
Memorias DIMM de rango único y rango doble
Los requisitos de configuración de los módulos DIMM se basan en estas clasificaciones:
●
DIMM de rango único: un conjunto de chips de memoria al que se accede mientras se escribe o
lee en la memoria.
●
Módulos DIMM de rango doble: dos módulos DIMM de rango único en el mismo módulo;
únicamente es posible acceder a un rango en cada momento.
El subsistema de control de la memoria del servidor selecciona el rango adecuado del módulo DIMM
cuando escribe en un DIMM o lee desde éste.
Los módulos DIMM de rango doble proporcionan la mayor capacidad con la tecnología de memoria
existente. Por ejemplo, si la tecnología DRAM actual admite módulos DIMM de rango único de 2 GB,
un módulo DIMM de doble rango tendría 4 GB.
Arquitectura del subsistema de memoria
El subsistema de memoria de este servidor se divide en dos canales. Cada canal admite dos ranuras
de DIMM.
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Capítulo 4 Instalación de componentes opcionales de hardware
ESES