HP Servidor HP ProLiant DL560 Gen8 - Manual (Página 50)

Canal Orden de ocupación Número de ranura
1 A
E
I
12
11
10
2 B
F
J
9
8
7
3 C
G
K
1
2
3
4 D
H
L
4
5
6
Para conocer la ubicación de los números de ranura, consulte "Ubicación de las ranuras DIMM
(
Ubicación de las ranuras DIMM en la página 11 )."
Esta arquitectura de varios canales permite lograr un mejor rendimiento en el modo ECC avanzado.
Esta arquitectura también permite los modos de memoria de sincronía y auxiliar en línea.
Las ranuras de DIMM de este servidor se identifican por un número y letra. Las letras identifican el
orden de ocupación. Los números de ranura indican el ID de la ranura DIMM auxiliar (de reserva).
DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos
Para comprender y configurar los modos de protección de memoria correctamente, resulta útil tener
conocimientos sobre los DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos. Algunos requisitos de
configuración de módulos DIMM se basan en estas clasificaciones.
Un DIMM de rango único posee un conjunto de chips de memoria al que se accede mientras se
escribe o lee en la memoria. Una memoria DIMM de rango doble es similar a dos memorias DIMM de
rango único en el mismo módulo. En la práctica, un módulo DIMM de cuatro rangos equivale a dos
módulos DIMM de rango doble en el mismo módulo. El subsistema de control de la memoria del
servidor selecciona el rango adecuado del módulo DIMM cuando escribe en un DIMM o lee
desde éste.
Las memorias DIMM de rango doble y cuatro rangos proporcionan la mayor capacidad con la
tecnología de memoria existente. Por ejemplo, si la tecnología DRAM actual admite memorias DIMM
de rango único de 8 GB, una memoria DIMM de doble rango tendría 16 GB, y una memoria DIMM de
cuatro rangos, 32 GB.
Los módulos LRDIMM se etiquetan como módulos DIMM de cuatro rangos. Hay cuatro rangos de
memoria DRAM en el DIMM, pero el búfer de LRDIMM crea una abstracción que permite que el
módulo DIMM parezca un módulo DIMM lógico de rango doble para el sistema. Esto se denomina
multiplicación de rangos. El búfer de LRDIMM también aísla la carga eléctrica de la memoria DRAM
del sistema para permitir un funcionamiento más rápido. Estos dos cambios permiten que el sistema
admita hasta tres memorias LRDIMM por canal de memoria, proporcionando una capacidad de
memoria de hasta un 50% más y mayor velocidad de funcionamiento de la memoria en comparación
con las memorias RDIMM de cuatro rangos.
ESES Opciones de memoria 43