Directrices de ocupación de ecc avanzado, Ocupación auxiliar en línea – HP Blade de servidor HP ProLiant BL420c Gen8 Manual del usuario

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Ranuras ocupadas (por canal)

Rango

Velocidad compatible (MT/s)

1

Único o doble

1600, 1333, 1066

1

Cuádruple

1333, 1066

2

Único o doble

1600, 1333, 1066

Directrices de ocupación de ECC avanzado

Para las configuraciones del modo ECC avanzado, tenga en cuenta las siguientes directrices:

Tenga en cuenta las directrices generales de ocupación de la ranura DIMM (

Directrices

generales de ocupación de ranuras de DIMM en la página 31

).

Es posible instalar las memorias DIMM de forma individual.

Ocupación auxiliar en línea

Para las configuraciones del modo de memoria auxiliar en línea, tenga en cuenta las siguientes
directrices:

Tenga en cuenta las directrices generales de ocupación de la ranura DIMM (

Directrices

generales de ocupación de ranuras de DIMM en la página 31

).

Cada canal debe tener una configuración auxiliar en línea válida.

Cada canal debe tener una configuración auxiliar en línea válida distinta.

Cada canal ocupado debe tener un rango auxiliar:

Un módulo DIMM de rango doble no es una configuración válida.

La memoria LRDIMM se trata como memoria DIMM de rango doble.

Directrices de ocupación de la memoria de sincronía

Para las configuraciones del modo de memoria de sincronía, tenga en cuenta las siguientes
directrices:

Tenga en cuenta las directrices generales de ocupación de la ranura DIMM (

Directrices

generales de ocupación de ranuras de DIMM en la página 31

).

Instale siempre las memorias DIMM en los canales 2 y 3 para cada procesador instalado.

No instale las memorias DIMM en el canal 1 para ningún procesador.

La configuración de las memorias DIMM en los canales 2 y 3 de un procesador deben ser
idénticas.

En las configuraciones multiprocesador, cada procesador debe disponer de una configuración
de modo de memoria de sincronía válida.

En las configuraciones multiprocesador, cada procesador debe disponer de una configuración
de modo de memoria de sincronía válida distinta.

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Capítulo 4 Instalación de componentes opcionales de hardware

ESES

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