HP Blade de servidor HP ProLiant BL420c Gen8 - Manual (Página 34)

de baja tensión DDR3 funcionan a 1,35 V. En el caso de los servidores HP Proliant Gen8, la mayoría
de módulos DIMM DDR3 son de baja tensión porque HP SmartMemory proporciona el mismo
rendimiento que las memorias de 1,5 V. Esto equivale hasta un 20% menos de energía en el nivel de
DIMM sin penalización de rendimiento. Además, el sector admite memorias UDIMM a 2 módulos
DIMM por canal a 1066 MT/s. HP SmartMemory admite 2 módulos DIMM por canal a 1333 MT/s, o
un ancho de banda 25% mayor.
Arquitectura del subsistema de memoria
El subsistema de memoria de este blade de servidor se divide en dos canales. Cada procesador
admite tres canales, y cada canal admite tres ranuras DIMM, como se muestra en la siguiente tabla.
Las ranuras de DIMM de este servidor se identifican por un número y letra. Las letras identifican el
orden de ocupación. Los números de las ranuras indican el Id. de la ranura DIMM de reserva para la
sustitución de piezas de repuesto.
Canal Designación de ranura Número de ranura
1 A
D
1
2
2 B
E
3
4
3 C
F
5
6
Esta arquitectura de varios canales permite obtener un mejor rendimiento en el modo ECC
avanzado. Para la ubicación de los números de ranura, consulte “Ranuras DIMM (
Ubicación de las
ranuras DIMM en la página 6 )”.
DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos
Para comprender y configurar los modos de protección de memoria correctamente, resulta útil tener
conocimientos sobre los DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos. Algunos requisitos de
configuración de memorias DIMM se basan en estas clasificaciones.
Un DIMM de rango único posee un conjunto de chips de memoria al que se accede mientras se
escribe o lee en la memoria. Una memoria DIMM de rango doble equivale a dos memorias DIMM de
rango único en el mismo módulo; únicamente es posible acceder a un rango en cada momento.
Efectivamente, una memoria DIMM de cuatro rangos equivale a dos memorias DIMM de doble rango
en el mismo módulo. Solo es posible acceder a un rango cada vez. El subsistema de control de la
memoria del blade de servidor selecciona el rango adecuado de DIMM cuando escribe en un DIMM o
lee desde éste.
Las memorias DIMM de rango doble y cuatro rangos proporcionan la mayor capacidad con la
tecnología de memoria existente. Por ejemplo, si la tecnología DRAM actual admite memorias DIMM
de rango único de 8 GB, una memoria DIMM de doble rango tendría 16 GB, y una memoria DIMM de
cuatro rangos, 32 GB.
Las memorias LRDIMM se etiquetan como memorias DIMM de cuatro rangos; sin embargo,
funcionan más como las memorias DIMM de rango doble. Hay cuatro rangos de memoria DRAM en
el DIMM, pero el búfer de LRDIMM crea una abstracción que permite que el módulo DIMM parezca
un módulo DIMM de rango doble para el sistema. El búfer de LRDIMM también aísla la carga
eléctrica de la memoria DRAM del sistema para permitir un funcionamiento más rápido. Estos dos
28 Capítulo 4 Instalación de componentes opcionales de hardware ESES