Memorias dimm de rango único y rango doble, Arquitectura del subsistema de memoria – HP Servidor HP ProLiant ML110 G7 Manual del usuario
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Elemento
Descripción
Definición
5
Velocidad de memoria
12800 = 1600-MT/s
10600 = 1333-MT/s
8500 = 1066-MT/s
6
Tipo de DIMM
R = RDIMM (registrado)
E = UDIMM (sin búfer con ECC)
L = LRDIMM (carga reducida)
Para obtener la información más reciente acerca de las memorias compatibles, consulte las
QuickSpecs (Especificaciones rápidas) en la página web de HP (
) En la página web, seleccione la región geográfica y, a
continuación, busque el producto por nombre o por categoría de producto.
Memorias DIMM de rango único y rango doble
Los requisitos de configuración de los módulos DIMM se basan en estas clasificaciones:
●
DIMM de rango único: un conjunto de chips de memoria al que se accede mientras se escribe o
lee en la memoria.
●
Módulos DIMM de rango doble: dos módulos DIMM de rango único en el mismo módulo;
únicamente es posible acceder a un rango en cada momento.
El subsistema de control de la memoria del servidor selecciona el rango adecuado del módulo DIMM
cuando escribe en un DIMM o lee desde éste.
Los módulos DIMM de rango doble proporcionan la mayor capacidad con la tecnología de memoria
existente. Por ejemplo, si la tecnología DRAM actual admite módulos DIMM de rango único de 2 GB,
un módulo DIMM de rango doble tendría 4 GB.
Arquitectura del subsistema de memoria
El subsistema de memoria de este servidor se divide en dos canales. Cada canal admite dos ranuras
DIMM.
Canal
Ranura
Número de ranura
A
C
A
1
2
B
D
B
3
4
Este servidor admite módulos UDIMM.
Las ranuras DIMM de este servidor se identifican por un número y letra. Las letras identifican el
orden de ocupación. Los mensajes ROM informan sobre los números de ranura durante el arranque
y en los informes de error. Para obtener información sobre la ubicación de las ranuras DIMM,
consulte "Ubicación de las ranuras DIMM" (
Ubicación de las ranuras DIMM en la página 6
).
ESES
Opciones de memoria
45