Dell PowerVault NX3300 - Manual (Página 44)

• Inserte primero todos los zócalos con pestañas de liberación blancas y, a continuación, las negras y las verdes.
• No inserte el tercer zócalo DIMM en un canal con pestañas de liberación verdes si existe un RDIMM cuádruple
en el primer zócalo con pestaña de liberación blanca.
• Inserte los zócalos según la numeración de rango más alta, en el siguiente orden: primero en los zócalos con
palancas de liberación blancas y, a continuación, las negras y verdes. Por ejemplo, si se desea combinar DIMM
cuádruples y dobles, inserte los DIMM cuádruples en los zócalos con pestañas de liberación blancas y los
DIMM dobles en los zócalos con pestañas de liberación negras.
• En una configuración con doble procesador, la configuración de la memoria para cada procesador debe ser
idéntica. Por ejemplo, si utiliza el zócalo A1 para el procesador 1, utilice también el zócalo B1 para el procesador
2 y así sucesivamente.
• Se pueden combinar módulos de memoria de distinto tamaño si se siguen otras reglas de utilización de la
memoria (por ejemplo, se pueden combinar módulos de memoria de 2 GB y 4 GB).
• Inserte 4 DIMM por procesador (1 DIMM por canal) cada vez para maximizar el rendimiento.
• Si se instalan módulos de memoria de velocidades diferentes, funcionaran a la velocidad del módulo más lento
o menos, dependiendo de la configuración DIMM del sistema.
Pautas específicas de los modos
Cada procesador tiene asignados cuatro canales de memoria. Las configuraciones posibles dependen del modo de
memoria seleccionado.
NOTA: Se pueden mezclar módulos DIMM de DRAM x4 y x8 para admitir características RAS. Sin embargo, se
deben seguir todas las pautas específicas para RAS. Los módulos DIMM de DRAM x4 conservan SDDC (Single
Device Data Correction, corrección de datos de dispositivo único) en el modo optimizado (canal independiente) de
memoria. Los módulos DIMM de DRAM x8 requieren de ECC avanzada para lograr SDDC.
Las siguientes secciones incluyen pautas adicionales sobre la ocupación de las ranuras en cada modo.
Modo Advanced ECC (Lockstep) (ECC avanzada)
El modo de ECC avanzada amplía SDDC de módulos DIMMs de DRAM x4 a DRAM x4 y x8. Esta ampliación supone
protección ante fallos de chip de DRAM sencillos durante el funcionamiento.
Pautas para la instalación de memoria:
• Todos los módulos de memoria deben ser idénticos en lo que se refiere a tamaño, velocidad y tecnología.
• Los módulos DIMM instalados en zócalos de memoria con pestañas de liberación blancas deben ser idénticos.
La misma regla es aplicable que aquellos módulos instalados en los zócalos con pestañas negras y verdes. Se
garantiza así que se instalan módulos DIMMs idénticos en pares coincidentes: por ejemplo, A1 con A2, A3 con
A4, A5 con A6 y así sucesivamente.
NOTA: No se admite ECC avanzada con duplicación.
Modo Memory Optimized (Independent Channel) (Memoria optimizada, canal independiente)
Este modo admite SDDC sólo para módulos de memoria que utilicen amplitudes de dispositivo x4 y no impongan
requisitos específicos en cuanto a la ocupación de ranuras.
Sustitución de memoria
NOTA: Para utilizar la sustitución de memoria, esta función debe estar activada en Configuración del sistema.
En este modo, se reserva para sustitución un banco por canal. Si se detectan errores persistentes y corregibles en un
banco, sus datos se copian en el banco de sustitución y se deshabilita el banco en el que se producen los errores.
Si está activada la sustitución de memoria, la memoria del sistema disponible para el sistema operativo se reduce a un
banco por canal. Por ejemplo, en una configuración de dos procesadores con 16 módulos DIMMs duales de 4 GB, la
memoria del sistema disponible es: 3/4 (bancos/canal) x 16 (DIMM) x 4 GB = 48 GB, en lugar de 16 (DIMM) x 4 GB = 64
GB.
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