HP Servidor HP ProLiant SL210t Gen8 - Manual (Página 46)

● DIMM de rango único: un conjunto de chips de memoria al que se accede mientras se escribe o
lee en la memoria.
● Módulos DIMM de rango doble: dos módulos DIMM de rango único en el mismo módulo;
únicamente es posible acceder a un rango en cada momento.
El subsistema de control de la memoria del servidor selecciona el rango adecuado del módulo DIMM
cuando escribe en un DIMM o lee desde éste.
Los módulos DIMM de rango doble proporcionan la mayor capacidad con la tecnología de memoria
existente. Por ejemplo, si la tecnología DRAM actual admite módulos DIMM de rango único de 2 GB,
un módulo DIMM de rango doble tendría 4 GB.
Arquitectura del subsistema de memoria
El subsistema de memoria de este nodo se divide en dos canales. Cada procesador admite cuatro
canales y cada canal admite dos ranuras DIMM.
Canal Ranura Número de ranura
1 A
E
1
2
2 B
F
3
4
3 C
G
8
7
4 D
H
6
5
Las ranuras DIMM se identifican por un número y letra. Las letras identifican el orden de ocupación.
Los mensajes ROM informan sobre los números de ranura durante el arranque y en los informes de
error. Para obtener información sobre la ubicación de las ranuras DIMM, consulte "Ubicación de las
ranuras DIMM" ( Ranuras de DIMM en la página 8 ).
Configuraciones de memoria
Para optimizar la disponibilidad del nodo, este admite los siguientes modos AMP:
● ECC avanzado: proporciona la mayor capacidad de memoria para un tamaño de DIMM
determinado, al mismo tiempo que aporta una corrección de errores de hasta 4 bits. Este modo
es la opción predeterminada para este nodo.
● Réplica de memoria: proporciona una protección superior frente a fallos de las memorias DIMM.
Los errores que no es posible corregir en un canal, se corrigen en el canal de réplica.
● Lockstep (Sincronía): proporciona protección mejorada al mismo tiempo que toda la memoria
instalada se hace disponible en el sistema operativo. El nodo puede continuar funcionando
incluso si se produce un error de memoria de un único bit o múltiples bits en un dispositivo
DRAM único.
Las opciones de AMP se configuran en la RBSU. Si el modo de AMP solicitado no es compatible con
la configuración de DIMM instalada, el nodo arrancará en el modo ECC avanzado. Para obtener más
ESES Opciones de memoria 39