Subsistema de memoria, Ranuras de memoria – Dell Precision T7500 (Early 2009) Manual del usuario
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DIMM1 DIMM2 DIMM3 DIMM4 DIMM5 DIMM6
3
SR
1 GB
1 GB
1 GB
4
SR
1 GB
1 GB
1 GB
1 GB
6
SR
1 GB
1 GB
1 GB
1 GB
1 GB
1 GB
8
MR
2 GB
1 GB
1 GB
2 GB
1 GB
1 GB
12
SR
2 GB
2 GB
2 GB
2 GB
2 GB
2 GB
24
DR
4 GB
4 GB
4 GB
4 GB
4 GB
4 GB
24
SR
2 GB
2 GB
2 GB
2 GB
2 GB
2 GB
2 GB
2 GB
2 GB
2 GB
2 GB
2 GB
48
DR
8 GB
8 GB
8 GB
8 GB
8 GB
8 GB
48
DR
4 GB
4 GB
4 GB
4 GB
4 GB
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4 GB
4 GB
4 GB
4 GB
4 GB
4 GB
96
DR
8 GB
8 GB
8 GB
8 GB
8 GB
8 GB
8 GB
8 GB
8 GB
8 GB
8 GB
8 GB
128
MR
16 GB
16 GB
8 GB
8 GB
8 GB
8 GB
16 GB
16 GB
8 GB
8 GB
8 GB
8 GB
192
QR
(RHEL
ONLY)
16 GB
16 GB
16 GB
16 GB
16 GB
16 GB
16 GB
16 GB
16 GB
16 GB
16 GB
16 GB
NOTA:
si se instala más de una DIMM cuádruple en un canal (DIMM1 y DIMM4, DIMM2 y DIMM5, DIMM3 y DIMM6), la velocidad
máxima de DDR3 se reduce a 800 MHz. Se recomienda propagar módulos de memoria cuádruples por varios canales.
NOTA:
los módulos DIMM DDR3 tienen 240 patas, el mismo número que los DDR2 y con el mismo tamaño, pero son incompatibles
eléctricamente y la ubicación de la muesca es distinta.
Subsistema de memoria
El subsistema de memoria consta de tres canales de memoria DDR3 conectados a cada procesador. Todas las configuraciones con un solo
procesador tienen seis ranuras DIMM (dos por canal) conectadas al procesador principal ubicado en la placa base. Las configuraciones con
dos procesadores requieren una tarjeta vertical opcional que contiene el procesador secundario y las DIMM asociadas con el procesador
secundario. En la tarjeta vertical hay seis ranuras DIMM, y el sistema cuenta con un total de doce DIMM.
Configuración de ranura DIMM para un solo procesador o un segundo procesador en la tarjeta vertical.
Ranuras de memoria
Hay seis ranuras de memoria en la placa base. Las ranuras están numeradas de DIMM1 a DIMM6. DIMM1 es la situada más lejos del
procesador.