HP Servidor HP ProLiant ML350e Gen8 - Manual (Página 64)

Para la ubicación de los números de ranura, consulte “ranuras DIMM ( Directrices generales de
ocupación de ranuras de DIMM en la página 59 ).”
Esta arquitectura de varios canales permite lograr un mejor rendimiento en el modo ECC Avanzado.
Esta arquitectura también permite los modos de memoria de sincronía y auxiliar en línea.
Las ranuras de DIMM de este servidor se identifican por un número y letra. Las letras identifican el
orden de ocupación. Los números de las ranuras indican el Id. de la ranura DIMM de reserva para la
sustitución de piezas de repuesto.
DIMM de rango único, de rango doble y de cuatro rangos
Para comprender y configurar los modos de protección de memoria correctamente, resulta útil tener
conocimientos sobre los DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos. Algunos requisitos de
configuración de memorias DIMM se basan en estas clasificaciones.
Un DIMM de rango único posee un conjunto de chips de memoria al que se accede mientras se
escribe o lee en la memoria. Una memoria DIMM de rango doble equivale a dos memorias DIMM de
rango único en el mismo módulo; únicamente es posible acceder a un rango en cada momento.
Efectivamente, una memoria DIMM de cuatro rangos equivale a dos memorias DIMM de doble rango
en el mismo módulo. Sólo es posible acceder a un rango cada vez. El subsistema de control de la
memoria del servidor selecciona el rango adecuado del módulo DIMM cuando escribe en un DIMM
o lee desde éste.
Las memorias DIMM de rango doble y cuatro rangos proporcionan la mayor capacidad con la
tecnología de memoria existente. Por ejemplo, si la tecnología DRAM actual admite memorias DIMM
de rango único de 8 GB, una memoria DIMM de doble rango tendría 16 GB, y una memoria DIMM de
cuatro rangos, 32 GB.
Las memorias LRDIMM se etiquetan como memorias DIMM de cuatro rangos; sin embargo,
funcionan más como las memorias DIMM de rango doble. Hay cuatro rangos de memoria DRAM en
el DIMM, pero el búfer de LRDIMM crea una abstracción que permite que el módulo DIMM parezca
un módulo DIMM de rango doble para el sistema. El búfer de LRDIMM también aísla la carga
eléctrica de la memoria DRAM del sistema para permitir un funcionamiento más rápido. Estos dos
cambios permiten que el sistema admita hasta tres memorias LRDIMM por canal de memoria,
proporcionando una capacidad de memoria de hasta un 50% más y mayor velocidad de
funcionamiento de la memoria en comparación con las memorias RDIMM de cuatro rangos.
Identificación de DIMM
Para determinar las características del módulo DIMM, utilice la etiqueta adjunta al DIMM, y la
siguiente ilustración y tabla.
ESES Opciones de memoria 57