Opciones de memoria, Arquitectura del subsistema de memoria – HP Servidor HP ProLiant SL4545 G7 Manual del usuario

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14.

Instalación del deflector de aire del procesador.

15.

Instale el panel de acceso (

Instalación del panel de acceso en la página 20

).

16.

Instale el nodo en el chasis (

Instalación de un nodo en el chasis en la página 25

).

17.

Encienda el nodo (

Encendido del sistema en la página 18

).

Opciones de memoria

El nodo admite memorias RDIMM de rango único y rango doble PC3L-10600 (DDR-1333) hasta a
1333 MT/s

Velocidad, tensión y capacidad

Tipo de DIMM

Rango de DIMM

Capacidad de DIMM

Velocidad nativa (MT/
s)

Voltaje (Tensión)

RDIMM

Rango único

4 Gb

1333

LV

RDIMM

Rango doble

8 Gb

1333

LV

RDIMM

Rango doble

16 Gb

1333

LV

Arquitectura del subsistema de memoria

El subsistema de memoria de este nodo se divide en dos canales. Cada procesador admite tres
canales, y cada canal admite dos ranuras DIMM, como se muestra en la tabla siguiente.

Las ranuras de DIMM de este servidor se identifican por un número y letra. Las letras identifican el
orden de ocupación. Los números de las ranuras indican el Id. de la ranura DIMM de reserva para la
sustitución de piezas de repuesto.

Canal

Designación de ranura

Número de ranura

1

A

D

1

2

2

B

E

3

4

3

C

F

5

6

Esta arquitectura de varios canales permite obtener un mejor rendimiento en el modo ECC
avanzado. Para la ubicación de los números de ranura, consulte “ranuras DIMM (

Ranuras de DIMM

en la página 4

).”

ESES

Opciones de memoria

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