HP Servidor HP ProLiant DL360 G6 - Manual (Página 48)

ECC avanzado proporciona más protección que ECC estándar, ya que permite corregir determinado
errores de memoria que, de otro modo, no se corregirían y provocarían fallos en el servidor. El
servidor envía notificaciones cuando los eventos de error corregibles han superado el umbral
predefinido.
Configuración de réplica de memoria
La creación de réplicas ofrece protección contra los errores de memoria no corregidos y que, de otra
manera, provocarían un periodo de inactividad en el servidor. La creación de réplicas se lleva a cabo
en el nivel de canal. Se utilizan los canales 1 y 2; el canal 3 no se ocupa.
Los datos se escriben en ambos canales de memoria. Los datos se leen desde uno de los dos
canales de memoria. Si se detecta un error que no es posible corregir en el canal de memoria activo,
los datos se recuperan desde el canal de réplica. Este canal se convierte en el nuevo canal activo, y
el sistema desactiva el canal que presenta el DIMM que ha fallado.
Configuración de memoria de sincronía
El modo de sincronía proporciona protección frente a los errores de memoria de múltiples bits que
tienen lugar en el mismo dispositivo DRAM. Este modo puede corregir cualquier error en el
dispositivo DRAM único en tipos de DIMM x4 y x8. El número de referencia de HP de las memorias
DIMM de cada canal debe coincidir.
El modo Lockstep (Sincronía) utiliza los canales 1 y 2. El canal 3 no se ocupa. Puesto que no es
posible ocupara el canal 3 mientras se utiliza el modo Lockstep (Sincronía), la capacidad máxima de
memoria es inferior que en el modo ECC Avanzado. El rendimiento de la memoria en modo ECC
Avanzado es ligeramente superior.
Directrices generales de ocupación de ranuras de DIMM
Tenga en cuenta las siguientes directrices para todos los modos AMP:
● Ocupe las ranuras DIMM para un procesador únicamente si el procesador está instalado.
● Para maximizar el rendimiento de las configuraciones de multiprocesador, distribuya la
capacidad total de memoria entre todos los procesadores del modo más uniforme posible.
● No combine las memorias PC3 DIMM sin búfer y registradas.
● Cada canal admite un máximo de dos memorias DIMM sin búfer.
● Si las memorias DIMM de cuatro rangos están instaladas para un procesador, es posible
instalar dos memorias DIMM como máximo en cada canal para dicho procesador.
● Si un canal contiene memorias DIMM de cuatro rangos, el DIMM de cuatro rangos debe
instalarse primero en el canal.
En la siguiente tabla, se enumeran las velocidades de DIMM compatibles.
Ranuras ocupadas (por canal) Rango Velocidad admitida (MHz)
1 Rango único o rango doble 1333, 1066
1 Cuatro rangos 1066
2 Rango único o rango doble 1066
3 Rango único o rango doble 800
40 Capítulo 4 Instalación de componentes opcionales de hardware ESES