HP Servidor HP ProLiant DL160 Gen8 - Manual (Página 55)

DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos
Para comprender y configurar los modos de protección de memoria correctamente, resulta útil tener
conocimientos sobre los DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos. Algunos requisitos de
configuración de memorias DIMM se basan en estas clasificaciones.
Un DIMM de rango único posee un conjunto de chips de memoria al que se accede mientras se
escribe o lee en la memoria. Una memoria DIMM de rango doble equivale a dos memorias DIMM de
rango único en el mismo módulo; únicamente es posible acceder a un rango en cada momento.
Efectivamente, una memoria DIMM de cuatro rangos equivale a dos memorias DIMM de doble rango
en el mismo módulo. Sólo es posible acceder a un rango cada vez. El subsistema de control de la
memoria del servidor selecciona el rango adecuado del módulo DIMM cuando escribe en un DIMM
o lee desde éste.
Las memorias DIMM de rango doble y cuatro rangos proporcionan la mayor capacidad con la
tecnología de memoria existente. Por ejemplo, si la tecnología DRAM actual admite memorias DIMM
de rango único de 8 GB, una memoria DIMM de doble rango tendría 16 GB, y una memoria DIMM de
cuatro rangos, 32 GB.
Las memorias LRDIMM se etiquetan como memorias DIMM de cuatro rangos; sin embargo,
funcionan más como las memorias DIMM de rango doble. Hay cuatro rangos de memoria DRAM en
el DIMM, pero el búfer de LRDIMM crea una abstracción que permite que el módulo DIMM parezca
un módulo DIMM de rango doble para el sistema. El búfer de LRDIMM también aísla la carga
eléctrica de la memoria DRAM del sistema para permitir un funcionamiento más rápido. Estos dos
cambios permiten que el sistema admita hasta tres memorias LRDIMM por canal de memoria,
proporcionando una capacidad de memoria de hasta un 50% más y mayor velocidad de
funcionamiento de la memoria en comparación con las memorias RDIMM de cuatro rangos.
Arquitectura del subsistema de memoria
El subsistema de memoria de este servidor se divide en dos canales. Cada procesador admite cuatro
canales y cada canal admite tres ranuras DIMM.
Para la ubicación de los números de ranura, consulte "Ubicación de las ranuras DIMM ( Ranuras de
DIMM en la página 6 )."
Esta arquitectura de varios canales permite lograr un mejor rendimiento en el modo ECC Avanzado.
Esta arquitectura también permite los modos de memoria de sincronía y auxiliar en línea.
Las ranuras DIMM de este servidor se identifican por un número y letra. Las letras identifican el
orden de ocupación. Los números de las ranuras indican el Id. de la ranura DIMM de reserva para la
sustitución de piezas de repuesto.
Modos de protección de memoria
Para optimizar la disponibilidad del servidor, éste admite los siguientes modos AMP:
● ECC avanzado: proporciona corrección de errores de hasta 4 bits y un rendimiento superior al
del modo Lockstep (sincronía). Este modo es la opción predeterminada para el servidor.
● Memoria auxiliar en línea: proporciona protección contra módulos DIMM estropeados o
deteriorados. Se aparta una cantidad de memoria determinada como auxiliar; cuando el sistema
detecta un DIMM deteriorado, se cambia automáticamente a la memoria auxiliar. Esto permite
que dejen de funcionar los DIMM que tienen una probabilidad más alta de recibir un error de
memoria imposible de corregir (que provoca un tiempo de inactividad del sistema).
48 Capítulo 4 Instalación de opciones de hardware ESES