Arquitectura del subsistema de memoria, Dimm de rango único, rango doble y cuatro rangos – HP Servidor HP ProLiant SL270s Gen8 Manual del usuario

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el rendimiento en servidores Proliant y BladeSystem de HP y proporciona una mayor asistencia
futura a través de Active Health de HP y el software de manejabilidad.

Algunas funciones de rendimiento se encuentran únicamente en SmartMemory de HP. La memoria
registrada DDR3-1333 de 1,35 V SmartMemory de HP está diseñada para alcanzar el mismo nivel
de rendimiento que una memoria de 1,5 V. Por ejemplo, mientras el sector admite memoria RDIMM
DDR3-1333 a 1,5 V, el servidor Gen8 admite memoria RDIMM DDR3-1333 a 1,35 V. Esta diferencia
es igual a un 20% menos de energía a nivel de DIMM sin afectar al rendimiento.

Arquitectura del subsistema de memoria

El subsistema de memoria de este servidor se divide en dos canales. Cada procesador admite cuatro
canales, y cada canal admite dos ranuras DIMM, tal y como se muestra en la siguiente tabla.

Canal

Ranura

Número de ranura

1

A

E

1

2

2

B

F

3

4

3

C

G

8

7

4

D

H

6

5

Para la ubicación de los números de ranura, consulte "Ubicación de las ranuras de DIMM."

Esta arquitectura de varios canales permite lograr un mejor rendimiento en el modo ECC Avanzado.
Esta arquitectura también activa el modo de memoria de sincronía.

Las ranuras de DIMM de este servidor se identifican por un número y letra. Las letras identifican el
orden de ocupación. Los números de ranura indican la ID de la ranura DIMM para el reemplazo de
auxiliar.

DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos

Para comprender y configurar los modos de protección de memoria correctamente, resulta útil tener
conocimientos sobre los DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos. Algunos requisitos de
configuración de memorias DIMM se basan en estas clasificaciones.

Un DIMM de rango único posee un conjunto de chips de memoria al que se accede mientras se
escribe o lee en la memoria. Una memoria DIMM de rango doble equivale a dos memorias DIMM de
rango único en el mismo módulo; únicamente es posible acceder a un rango en cada momento.
Efectivamente, una memoria DIMM de cuatro rangos equivale a dos memorias DIMM de doble rango
en el mismo módulo. Solo es posible acceder a un rango cada vez. El subsistema de control de la
memoria del servidor selecciona el rango adecuado del módulo DIMM cuando escribe en un DIMM o
lee desde éste.

Las memorias DIMM de rango doble y cuatro rangos proporcionan la mayor capacidad con la
tecnología de memoria existente. Por ejemplo, si la tecnología DRAM actual admite memorias DIMM
de rango único de 8 GB, una memoria DIMM de doble rango tendría 16 GB, y una memoria DIMM de
cuatro rangos, 32 GB.

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Capítulo 4 Instalación de componentes opcionales de hardware

ESES

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