HP Servidor HP ProLiant ML350 G6 - Manual (Página 56)

de memoria de múltiples bits. Cuando se detectan errores de múltiples bits a través de ECC
estándar, el error se indica en el servidor y hace que éste se detenga.
ECC avanzada protege al servidor contra algunos errores de memoria de múltiples bits. ECC
Avanzado puede corregir tanto los errores de memoria de un único bit como los errores de memoria
de 4 bits si todos los bits que presentan errores se encuentran en el mismo dispositivo DRAM del
DIMM.
ECC avanzado proporciona más protección que ECC estándar, ya que permite corregir determinado
errores de memoria que, de otro modo, no se corregirían y provocarían fallos en el servidor. El
servidor envía notificaciones cuando los eventos de error corregibles han superado el umbral
predefinido.
Configuración de réplica de memoria
La creación de réplicas ofrece protección contra los errores de memoria no corregidos y que, de otra
manera, provocarían un periodo de inactividad en el servidor. La creación de réplicas se lleva a cabo
en el nivel de canal. Se utilizan los canales 1 y 2; el canal 3 no se ocupa.
Los datos se escriben en ambos canales de memoria. Los datos se leen desde uno de los dos
canales de memoria. Si se detecta un error que no es posible corregir en el canal de memoria activo,
los datos se recuperan desde el canal de réplica. Este canal se convierte en el nuevo canal activo, y
el sistema desactiva el canal que presenta el DIMM que ha fallado.
Configuración de memoria de sincronía
El modo de sincronía proporciona protección frente a los errores de memoria de múltiples bits que
tienen lugar en el mismo dispositivo DRAM. Este modo puede corregir cualquier error en el
dispositivo DRAM único en tipos de DIMM x4 y x8. El número de referencia de HP de las memorias
DIMM de cada canal debe coincidir.
El modo Lockstep (Sincronía) utiliza los canales 1 y 2. El canal 3 no se ocupa. Puesto que no es
posible ocupara el canal 3 mientras se utiliza el modo Lockstep (Sincronía), la capacidad máxima de
memoria es inferior que en el modo ECC Avanzado. El rendimiento de la memoria en modo ECC
Avanzado es ligeramente superior.
Configuración de la memoria auxiliar en línea
La memoria auxiliar en línea proporciona protección contra los módulos DIMM deteriorados al reducir
la probabilidad de que se produzcan errores de memoria no corregidos. Esta protección está
disponible sin requerir compatibilidad con ningún sistema operativo.
La protección de la memoria auxiliar en línea utiliza un rango de cada canal de memoria como
memoria auxiliar. Los rangos restantes están disponibles para el SO y el uso de aplicaciones. Si se
producen errores de memoria que se pueden corregir a una tasa superior que la del umbral
especificado de cualquiera de los rangos no auxiliares, el servidor copia automáticamente el
contenido de la memoria del rango deteriorado en el rango auxiliar en línea. A continuación, el
servidor desactiva el rango que falla y cambia automáticamente al rango auxiliar en línea.
Directrices generales de ocupación de ranuras de DIMM
Tenga en cuenta las siguientes directrices para todos los modos AMP:
● Ocupe las ranuras DIMM para un procesador únicamente si el procesador está instalado.
● Para maximizar el rendimiento de las configuraciones de multiprocesador, distribuya la
capacidad total de memoria entre todos los procesadores del modo más uniforme posible.
● No combine las memorias PC3 DIMM sin búfer y registradas.
48 Capítulo 4 Instalación de componentes opcionales de hardware ESES