HP Blade de servidor HP ProLiant BL460c G7 - Manual (Página 36)

Configuraciones de memoria máxima UDIMM
El servidor blade admite un máximo de 24 GB de memoria con un procesador y 48 GB de memoria
con dos procesadores utilizando memorias UDIMM de rango doble de 4 GB.
Configuración de memoria ECC Avanzado
ECC avanzada es el modo predeterminado de protección de memoria para este blade de servidor.
La memoria ECC estándar puede corregir los errores de memoria de bit único y detectar los errores
de memoria de múltiples bits. Cuando se detectan errores de múltiples bits a través de ECC
estándar, el error se indica en el blade de servidor y hace que éste se detenga.
ECC avanzada protege el blade de servidor de algunos errores de memoria de múltiples bits. ECC
Avanzado puede corregir tanto los errores de memoria de un único bit como los errores de memoria
de 4 bits si todos los bits que presentan errores se encuentran en el mismo dispositivo DRAM del
DIMM.
ECC avanzada proporciona más protección que ECC estándar, ya que es posible corregir algunos
errores de memoria que, de otro modo, serían incorregibles y provocarían fallos en el blade de
servidor. El blade de servidor envía notificaciones cuando los eventos de error han superado el
umbral predefinido.
Configuración de réplica de memoria
La creación de réplicas ofrece protección contra los errores de memoria que no se pueden corregir
y que, de otra manera, provocarían un periodo de inactividad en el blade de servidor. La creación de
réplicas se lleva a cabo en el nivel de canal. Se utilizan los canales 1 y 2; el canal 3 no se ocupa.
Los datos se escriben en ambos canales de memoria. Los datos se leen desde uno de los dos
canales de memoria. Si se detecta un error que no es posible corregir en el canal de memoria activo,
los datos se recuperan desde el canal de réplica. Este canal se convierte en el nuevo canal activo, y
el sistema desactiva el canal que presenta el DIMM que ha fallado.
Configuración de memoria de sincronía
El modo de sincronía proporciona protección frente a los errores de memoria de múltiples bits que
tienen lugar en el mismo dispositivo DRAM. Este modo puede corregir cualquier error en el
dispositivo DRAM único en tipos de DIMM x4 y x8. El número de referencia de HP de las memorias
DIMM de cada canal debe coincidir.
El modo Lockstep (Sincronía) utiliza los canales 1 y 2. El canal 3 no se ocupa. Puesto que no es
posible ocupara el canal 3 mientras se utiliza el modo Lockstep (Sincronía), la capacidad máxima de
memoria es inferior que en el modo ECC Avanzado. El rendimiento de la memoria en modo ECC
Avanzado es ligeramente superior.
Configuración de la memoria auxiliar en línea
La memoria auxiliar en línea proporciona protección contra los módulos DIMM deteriorados al reducir
la probabilidad de que se produzcan errores de memoria no corregidos. Esta protección está
disponible sin requerir compatibilidad con ningún sistema operativo.
La protección de la memoria auxiliar en línea utiliza un rango de cada canal de memoria como
memoria auxiliar. Los rangos restantes están disponibles para el SO y el uso de aplicaciones. Si se
producen errores de memoria que se pueden corregir a una tasa superior que la del umbral
especificado de cualquiera de los rangos no auxiliares, el blade de servidor copia automáticamente el
contenido de la memoria del rango deteriorado en el rango auxiliar en línea. A continuación, el blade
de servidor desactiva el rango que falla y cambia automáticamente al rango auxiliar en línea.
ESES Opciones de memoria 29