HP Blade de servidor HP ProLiant BL490c G7 - Manual (Página 28)

Las opciones de protección de memoria avanzada se configuran en la RBSU. Si el modo AMP
solicitado no es compatible con la configuración de la memoria DIMM instalada, el blade de servidor
arrancará en el modo ECC Avanzado. Para obtener más información, consulte "HP ROM-Based
Setup Utility" (
HP ROM-Based Setup Utility en la página 49 ).
Para obtener la información más reciente sobre la configuración de la memoria, consulte QuickSpecs
(especificaciones rápidas) en la página Web de HP (
http://www.hp.com ).
Configuraciones de memoria máxima RDIMM
En la siguiente tabla se enumera la máxima configuración de memoria posible con memorias RDIMM
de 8 GB.
Rango Procesador individual Procesador dual
Rango único 72 GB 144 GB
Rango doble 72 GB 144 GB
Cuatro rangos 48 GB 96 GB
Configuraciones de memoria máxima UDIMM
El blade de servidor admite un máximo de 12 GB con un procesador y 24 GB con dos procesadores
utilizando memorias UDIMM de rango único o rango doble de 2 GB.
Configuración de memoria ECC Avanzado
ECC avanzada es el modo predeterminado de protección de memoria para este blade de servidor.
La memoria ECC estándar puede corregir los errores de memoria de bit único y detectar los errores
de memoria de múltiples bits. Cuando se detectan errores de múltiples bits a través de ECC
estándar, el error se indica en el blade de servidor y hace que éste se detenga.
ECC avanzada protege el blade de servidor de algunos errores de memoria de múltiples bits. ECC
Avanzado puede corregir tanto los errores de memoria de un único bit como los errores de memoria
de 4 bits si todos los bits que presentan errores se encuentran en el mismo dispositivo DRAM del
DIMM.
ECC avanzada proporciona más protección que ECC estándar, ya que es posible corregir algunos
errores de memoria que, de otro modo, serían incorregibles y provocarían fallos en el blade de
servidor. El blade de servidor envía notificaciones cuando los eventos de error han superado el
umbral predefinido.
Configuración de réplica de memoria
La creación de réplicas ofrece protección contra los errores de memoria que no se pueden corregir
y que, de otra manera, provocarían un periodo de inactividad en el blade de servidor. La creación de
réplicas se lleva a cabo en el nivel de canal. Se utilizan los canales 1 y 2; el canal 3 no se ocupa.
Los datos se escriben en ambos canales de memoria. Los datos se leen desde uno de los dos
canales de memoria. Si se detecta un error que no es posible corregir en el canal de memoria activo,
los datos se recuperan desde el canal de réplica. Este canal se convierte en el nuevo canal activo, y
el sistema desactiva el canal que presenta el DIMM que ha fallado.
ESES Opciones de memoria 21