Arquitectura del subsistema de memoria, Dimm de rango único, rango doble y cuatro rangos – HP Blade de servidor HP ProLiant BL660c Gen8 Manual del usuario

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pasado los procesos de calificación y de pruebas de HP. La memoria Qualified presenta un
rendimiento ajustado a los servidores HP ProLiant y BladeSystem y proporciona mayor
compatibilidad a través del software de gestión y HP Active Health.

Algunas funciones de rendimiento son exclusivas de HP SmartMemory. La memoria
HP SmartMemory de 1,35 V DDR3-1333 Registered se ha diseñado para lograr el mismo nivel de
rendimiento que la memoria de 1,5 V. Por ejemplo, mientras el sector admite memoria RDIMM
DDR3-1333 a 1,5 V, el servidor Gen8 admite memoria RDIMM DDR3-1333 a 1,35 V. Esta diferencia
es igual a un 20 % menos de energía en el nivel de DIMM sin afectar al rendimiento.

Arquitectura del subsistema de memoria

El subsistema de memoria de este blade de servidor se divide en canales. Cada procesador admite
cuatro canales, y cada canal admite dos ranuras DIMM, tal y como se muestra en la siguiente tabla.

Canal

Ranura

Número de ranura

1

A

E

1

2

2

B

F

3

4

3

C

G

8

7

4

D

H

6

5

Para conocer la ubicación de los números de ranura, consulte "Ubicación de las ranuras DIMM
(

Ubicación de las ranuras DIMM en la página 5

)."

Esta arquitectura de varios canales permite lograr un mejor rendimiento en el modo ECC avanzado.
Esta arquitectura también activa el modo de memoria de sincronía.

Las ranuras de DIMM de este servidor se identifican por un número y letra. Las letras identifican el
orden de ocupación. Los números de ranura indican el ID de la ranura DIMM auxiliar (de reserva).

DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos

Para comprender y configurar los modos de protección de memoria correctamente, resulta útil tener
conocimientos sobre los DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos. Algunos requisitos de
configuración de módulos DIMM se basan en estas clasificaciones.

Un DIMM de rango único posee un conjunto de chips de memoria al que se accede mientras se
escribe o lee en la memoria. Un módulo DIMM de rango doble equivale a dos módulos DIMM de
rango único en el mismo módulo; únicamente es posible acceder a un rango en cada momento. En la
práctica, un módulo DIMM de cuatro rangos equivale a dos módulos DIMM de rango doble en el
mismo módulo. Solo es posible acceder a un rango cada vez. El subsistema de control de la
memoria del blade de servidor selecciona el rango adecuado de DIMM cuando escribe en un DIMM o
lee desde éste.

Las memorias DIMM de rango doble y cuatro rangos proporcionan la mayor capacidad con la
tecnología de memoria existente. Por ejemplo, si la tecnología DRAM actual admite memorias DIMM

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Capítulo 4 Instalación de opciones de hardware

ESES

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