Arquitectura del subsistema de memoria, Dimm de rango único, rango doble y cuatro rangos – HP Blade de servidor HP ProLiant BL660c Gen8 Manual del usuario

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Algunas funciones de rendimiento son exclusivas con HP SmartMemory. La memoria
HP SmartMemory 1,35 V DDR3-1333 Registered se ha diseñado para lograr el mismo nivel de
rendimiento que la memoria de 1,5 V. Por ejemplo, mientras el sector admite memoria RDIMM
DDR3-1333 a 1,5 V, el servidor Gen8 admite memoria RDIMM DDR3-1333 a 1,35 V. Esta diferencia
es igual a un 20% menos de energía a nivel de DIMM sin afectar al rendimiento.

Arquitectura del subsistema de memoria

El subsistema de memoria de este blade de servidor se divide en dos canales. Cada procesador
admite cuatro canales, y cada canal admite dos ranuras DIMM, tal y como se muestra en la siguiente
tabla.

Canal

Ranura

Número de ranura

1

A

E

1

2

2

B

F

3

4

3

C

G

8

7

4

D

H

6

5

Para la ubicación de los números de ranura, consulte "Ubicación de las ranuras de DIMM (

DIMM,

ubicación de las ranuras en la página 5

)."

Esta arquitectura de varios canales permite lograr un mejor rendimiento en el modo ECC Avanzado.
Esta arquitectura también activa el modo de memoria de sincronía.

Las ranuras de DIMM de este servidor se identifican por un número y letra. Las letras identifican el
orden de ocupación. Los números de las ranuras indican el Id. de la ranura DIMM de reserva para la
sustitución de piezas de repuesto.

DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos

Para comprender y configurar los modos de protección de memoria correctamente, resulta útil tener
conocimientos sobre los DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos. Algunos requisitos de
configuración de memorias DIMM se basan en estas clasificaciones.

Un DIMM de rango único posee un conjunto de chips de memoria al que se accede mientras se
escribe o lee en la memoria. Una memoria DIMM de rango doble equivale a dos memorias DIMM de
rango único en el mismo módulo; únicamente es posible acceder a un rango en cada momento.
Efectivamente, una memoria DIMM de cuatro rangos equivale a dos memorias DIMM de doble rango
en el mismo módulo. Sólo es posible acceder a un rango cada vez. El subsistema de control de la
memoria del blade de servidor selecciona el rango adecuado de DIMM cuando escribe en un DIMM o
lee desde éste.

Las memorias DIMM de rango doble y cuatro rangos proporcionan la mayor capacidad con la
tecnología de memoria existente. Por ejemplo, si la tecnología DRAM actual admite memorias DIMM
de rango único de 8 GB, una memoria DIMM de doble rango tendría 16 GB, y una memoria DIMM de
cuatro rangos, 32 GB.

ESES

Opciones de memoria

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