HP Blade de servidor HP ProLiant BL465c Gen8 - Manual (Página 40)

Arquitectura del subsistema de memoria
El subsistema de memoria de este blade de servidor se divide en dos canales. Cada procesador
admite cuatro canales, y cada canal admite dos ranuras DIMM, tal y como se muestra en la siguiente
tabla.
Canal Ranura Número de ranura
1 A
E
1
2
2 C
G
3
4
3 B
F
5
6
4 D
H
7
8
Para la ubicación de los números de ranura, consulte "Ubicación de las ranuras de DIMM ( DIMM,
ubicación de las ranuras en la página 6 )."
Esta arquitectura de varios canales permite lograr un mejor rendimiento en el modo ECC Avanzado.
Las ranuras de DIMM de este servidor se identifican por un número y letra. Las letras identifican el
orden de ocupación. Los números de las ranuras indican el Id. de la ranura DIMM de reserva para la
sustitución de piezas de repuesto.
DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos
Para comprender y configurar los modos de protección de memoria correctamente, resulta útil tener
conocimientos sobre los DIMM de rango único, rango doble y cuatro rangos. Algunos requisitos de
configuración de memorias DIMM se basan en estas clasificaciones.
Un DIMM de rango único posee un conjunto de chips de memoria al que se accede mientras se
escribe o lee en la memoria. Una memoria DIMM de rango doble equivale a dos memorias DIMM de
rango único en el mismo módulo; únicamente es posible acceder a un rango en cada momento.
Efectivamente, una memoria DIMM de cuatro rangos equivale a dos memorias DIMM de doble rango
en el mismo módulo. Sólo es posible acceder a un rango cada vez. El subsistema de control de la
memoria del blade de servidor selecciona el rango adecuado de DIMM cuando escribe en un DIMM o
lee desde éste.
Las memorias DIMM de rango doble y cuatro rangos proporcionan la mayor capacidad con la
tecnología de memoria existente. Por ejemplo, si la tecnología DRAM actual admite memorias DIMM
de rango único de 8 GB, una memoria DIMM de doble rango tendría 16 GB, y una memoria DIMM de
cuatro rangos, 32 GB.
Los módulos LRDIMM se etiquetan como módulos DIMM de cuatro rangos. Hay cuatro rangos de
memoria DRAM en el DIMM, pero el búfer de LRDIMM crea una abstracción que permite que el
módulo DIMM parezca un módulo DIMM de rango doble para el sistema. El búfer de LRDIMM aísla
la carga eléctrica de la memoria DRAM del sistema para permitir un funcionamiento más rápido. Esto
permite una mayor velocidad de funcionamiento de la memoria en comparación con la de las
memorias RDIMM de cuatro rangos.
34 Capítulo 4 Instalación de componentes opcionales de hardware ESES